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等林本建出来，三人边吃边聊，卫向东正式向林本建发出邀请，希望他到大陆继续研究紫外光（EUV）光刻，将来在众芯科技专门成立一个部门由他负责，同样可以给予众芯科技的股份。
“林先生，如果你还有什么要求，我们都可以谈。”卫向东的态度很诚恳。
林本建沉默了下开口说道：“卫先生，或许你不清楚，研发13.4纳米的极紫外光（EUV）遥不可及而且耗费巨大，现在光刻机还卡在193纳米这个这个阶段。”
“我知道，极紫外光（EUV）是光刻机发展的未来，而193纳米这道坎终将会被迈过。”卫向东笑回答道。
林本建听了笑了起来：“卫先生，你是个局外人，竟然比我们这些局内人还充满自信？”
“或许正是因为我是个局外人，所以和你看问题角度不同，光刻机停留在193纳米已经好几年了吧？所谓厚积薄发该到突破的时候。不是有一种叫什么浸润式光刻吗？我看那个法子就行。”卫向东说道。
“浸润式光刻？卫先生你也认为浸润式可行？！”林本建的声音突然变得激动起来。
不是我认为行，是因为历史最后证明这个法子行！
卫向东实在不明白这个林本建为何如此激动，旁边的张如京才告诉他，在80年代末期，林本建就提出随着芯片精度越来越高，光刻机的精度最终会遇到瓶颈，可以用浸润式原理解决这个问题。
不过当时业界正要准备1000 纳米的量产，后来林本建又帮IBM解决两个世代以后的技术，也就是500纳米；那时还有很多方法可用，不需要浸润式这种颇为复杂的办法。
