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会议结束了之后，将各部门的工作已经安排下去的陆舟，立刻投入到了二代可控聚变技术的研究中。
虽然这个时代的规则他并不是特别的了解，但搞科研总归就是那么回事儿。
选择一个大致的方向，然后通过不断的试错，摸索出一条可行的道路。而站在一名总设计师的立场上，需要他做的事情便是，规划出整个大型科研工程的框架，选择几条可能性最大的技术路线，然后为各领域的学术带头人制定战略方向，并尽一切可能减少试错的次数和时间成本。
目前二代可控聚变技术面临的三个问题，和当年他在一代可控聚变技术上面临的问题基本是一样的。
区别只是在于，难度的不同而已。
氘与氦三的散射截面比氘氚要小很多，前者在300keV下的截面只有0.8b，远小于后者，所以需要更多的能量输入，聚变的条件也就更为苛刻。
举个直观的例子，同样一个聚变堆，实现DT反应——也就是氘氚反应的温度，只需要一亿度就足够了。
然而而如果想要使氘与氦三发生聚变反应，并且令反应稳定的维持下去，需要的温度直接是几十亿度起跳。
温度仅仅这是其中的一个要素。
包括密度、还有约束时间，此三者缺一不可。
根据陆舟查阅到的文献资料，到目前为止，二代可控聚变所面临的核心问题，主要还是集中在反应温度方面。
尤其是如何将高温的等离子体约束并压缩在一个极小的区域内。
实现这一点所需的磁场的强度，将是一个非常恐怖的数字。
不过，虽然困难这么多，但陆舟却并不觉得这是一个无法解决的问题。
